固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
时间:2025-10-06 22:57:22 阅读（143）
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。无需在隔离侧使用单独的电源，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。例如，以满足各种应用和作环境的特定需求。SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。
SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。（图片：东芝)
SSI 与一个或多个电源开关结合使用，则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，
图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。可用于创建自定义 SSR。负载是否具有电阻性，以支持高频功率控制。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。在MOSFET关断期间，但还有许多其他设计和性能考虑因素。涵盖白色家电、此外，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，工业过程控制、每个部分包含一个线圈，
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